2SA1417T-TD-E

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2SA1417T-TD-E概述

小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

小信号 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 100V 2A SOT89-3


立创商城:
2SA1417T-TD-E


欧时:
ON Semiconductor 2SA1417T-TD-E , PNP 晶体管, 2 A, Vce=100 V, HFE:100, 120 MHz, 3引脚 PCP封装


艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2SA1417T-TD-E PNP Bipolar Transistor, 2 A, 100 V, 3-Pin PCP


安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS PNP 100V 2A SOT89-3


2SA1417T-TD-E中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-243

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-243

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SA1417T-TD-E
型号: 2SA1417T-TD-E
描述:小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号2SA1417T-TD-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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