2SC3647T-TD-E

2SC3647T-TD-E图片1
2SC3647T-TD-E图片2
2SC3647T-TD-E图片3
2SC3647T-TD-E图片4
2SC3647T-TD-E图片5
2SC3647T-TD-E图片6
2SC3647T-TD-E图片7
2SC3647T-TD-E图片8
2SC3647T-TD-E图片9
2SC3647T-TD-E图片10
2SC3647T-TD-E图片11
2SC3647T-TD-E图片12
2SC3647T-TD-E概述

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 100V 2A SOT89-3


立创商城:
2SC3647T-TD-E


欧时:
ON Semiconductor 2SC3647T-TD-E , NPN 晶体管, 2 A, Vce=100 V, HFE:200, 1 MHz, 3引脚 PCP封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 2A 100V


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 120 MHz, 1.5 W, 2 A, 200 hFE


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN 2SC3647T-TD-E GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


Allied Electronics:
ON Semi 2SC3647T-TD-E NPN Bipolar Transistor, 2 A, 100 V, 3-Pin PCP


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS NPN 100V 2A SOT89-3


2SC3647T-TD-E中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

针脚数 3

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 400 @100mA, 5V

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC3647T-TD-E
型号: 2SC3647T-TD-E
描述:PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
替代型号2SC3647T-TD-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SC3647T-TD-E

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

2SC3647S-TD-E

安森美

功能相似

2SC3647T-TD-E和2SC3647S-TD-E的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台