PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 100V 2A PCP
立创商城:
2SA1417S-TD-E
欧时:
ON Semiconductor 2SA1417S-TD-E , PNP 晶体管, 2 A, Vce=100 V, HFE:100, 120 MHz, 3引脚 PCP封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP 2SA1417S-TD-E GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.
Allied Electronics:
ON Semi 2SA1417S-TD-E PNP Bipolar Transistor, 2 A, 100 V, 3-Pin PCP
Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Win Source:
TRANS PNP 100V 2A SOT89-3
频率 120 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 120 MHz
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-62-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SC-62-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SA1417S-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA1417T-TD-E 安森美 | 完全替代 | 2SA1417S-TD-E和2SA1417T-TD-E的区别 |
2SA1417S-TD 安森美 | 功能相似 | 2SA1417S-TD-E和2SA1417S-TD的区别 |