2N5655G

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2N5655G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N5655G  双极晶体管

- 双极 BJT - 单 NPN 10MHz 通孔 TO-225AA


得捷:
TRANS NPN 250V 0.5A TO126


e络盟:
双极晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


富昌:
2N 系列 250 V 500 mA NPN 硅 高压 功率晶体管 - TO-225AA


Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N5655G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 10 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk


2N5655G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC 250 V

额定电流 500 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

宽度 2.66 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2018/01/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5655G
型号: 2N5655G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N5655G  双极晶体管
替代型号2N5655G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5655G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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