ON SEMICONDUCTOR 2N5655G 双极晶体管
- 双极 BJT - 单 NPN 10MHz 通孔 TO-225AA
得捷:
TRANS NPN 250V 0.5A TO126
e络盟:
双极晶体管
艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
富昌:
2N 系列 250 V 500 mA NPN 硅 高压 功率晶体管 - TO-225AA
Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 2N5655G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 10 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk
频率 10 MHz
额定电压DC 250 V
额定电流 500 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 30
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 20 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-225-3
宽度 2.66 mm
封装 TO-225-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2018/01/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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