NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
小信号 NPN ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
欧时:
ON Semiconductor 2SC3332T-AA , NPN 晶体管, 700 mA, Vce=160 V, HFE:80, 120 MHz, 3引脚 NP封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box
Allied Electronics:
ON Semi 2SC3332T-AA NPN Bipolar Transistor, 0.7 A, 160 V, 3-Pin NP
安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box
Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box
频率 120 MHz
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 700 mW
增益频宽积 120 MHz
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 700 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 5 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SC3332T-AA ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SC3332S-AA 安森美 | 类似代替 | 2SC3332T-AA和2SC3332S-AA的区别 |