2SC3332T-AA

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2SC3332T-AA概述

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 160V 0.7A 3NP


欧时:
ON Semiconductor 2SC3332T-AA , NPN 晶体管, 700 mA, Vce=160 V, HFE:80, 120 MHz, 3引脚 NP封装


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box


Allied Electronics:
ON Semi 2SC3332T-AA NPN Bipolar Transistor, 0.7 A, 160 V, 3-Pin NP


安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box


2SC3332T-AA中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 700 mW

增益频宽积 120 MHz

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 700 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 5 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买2SC3332T-AA
型号: 2SC3332T-AA
描述:NPN 晶体管,ON Semiconductor 这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
替代型号2SC3332T-AA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SC3332T-AA

ON Semiconductor 安森美

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