2SK4150TZ-E

2SK4150TZ-E图片1
2SK4150TZ-E图片2
2SK4150TZ-E概述

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features

• Capable of 2.5 V gate drive

• Low drive current

• Low on-resistance

     RDSon = 4.0  typ. at ID = 0.2 A, VGS = 4 V, Ta = 25°C


得捷:
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R


安富利:
MOSFET


Win Source:
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF / N-Channel 250 V 400mA Ta 750mW Ta Through Hole TO-92


2SK4150TZ-E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 750mW Ta

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 80pF @25VVds

额定功率Max 750 mW

下降时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK4150TZ-E引脚图与封装图
2SK4150TZ-E引脚图
2SK4150TZ-E封装图
2SK4150TZ-E封装焊盘图
在线购买2SK4150TZ-E
型号: 2SK4150TZ-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台