2SD1801T-E概述
TP NPN 50V 2A
Bipolar BJT Transistor
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin3+Tab TP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin3+Tab TP Bag
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin3+Tab TP T/R
2SD1801T-E中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买2SD1801T-E