PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 PNP ，超过 1A，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 320 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-243
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-243
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 DC-DC converters, Motor drivers, Relay drivers, Lamp drivers
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SB1302S-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1302T-TD-E 安森美 | 类似代替 | 2SB1302S-TD-E和2SB1302T-TD-E的区别 |