







PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 PNP ,超过 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 50V 2A TP-FA
欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 2A 50V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin2+Tab TP-FA T/R
Allied Electronics:
ON Semi 2SD1801T-TL-E NPN Bipolar Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin TP-FA
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin2+Tab TP-FA T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
TRANS NPN 50V 2A TP-FA
频率 150 MHz
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 2.3 mm
高度 5.5 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1801T-TL-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1801S-TL-E 安森美 | 完全替代 | 2SD1801T-TL-E和2SD1801S-TL-E的区别 |