2SB1201T-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SB1201T-E概述

TP PNP 50V 2A

- 双极 BJT - 单 PNP 50 V 2 A 150MHz 800 mW 通孔 TP

得捷:
TRANS PNP 50V 2A TP

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V

艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin3+Tab TP Bag

2SB1201T-E中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2SB1201T-E

描述：TP PNP 50V 2A