2SD1207S参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1207S概述

PNP / NPN外延平面硅晶体管 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 2 A 150MHz 1 W 通孔 3-MP

得捷:
TRANS NPN 50V 2A 3MP

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 2A 50V

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 2A Automotive 3-Pin Case MP

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A Automotive 3-Pin Case MP

2SD1207S中文资料参数规格

技术参数

频率 150 MHz

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 140

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1207S

型号： 2SD1207S

描述：PNP / NPN外延平面硅晶体管 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

替代型号2SD1207S