单晶体管 双极, NPN, 160 V, 120 MHz, 1.5 W, 1.5 A, 140 hFE
Features
• Adoption of FBET, MBIT processes
• High breakdown voltage and large current capacity
• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s
立创商城:
2SC3649S-TD-E
得捷:
TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 120 MHz, 1.5 W, 1.5 A, 140 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 4-Pin3+Tab PCP T/R
Win Source:
TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
增益频宽积 120 MHz
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 280
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 140
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SC3649S-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SC3649T-TD-E 安森美 | 功能相似 | 2SC3649S-TD-E和2SC3649T-TD-E的区别 |