2SC3649S-TD-E

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2SC3649S-TD-E概述

单晶体管 双极, NPN, 160 V, 120 MHz, 1.5 W, 1.5 A, 140 hFE

Features

• Adoption of FBET, MBIT processes

• High breakdown voltage and large current capacity

• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s


立创商城:
2SC3649S-TD-E


得捷:
TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 120 MHz, 1.5 W, 1.5 A, 140 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Win Source:
TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3


2SC3649S-TD-E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

增益频宽积 120 MHz

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 280

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 140

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC3649S-TD-E
型号: 2SC3649S-TD-E
描述:单晶体管 双极, NPN, 160 V, 120 MHz, 1.5 W, 1.5 A, 140 hFE
替代型号2SC3649S-TD-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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