2SD1801S-E

2SD1801S-E图片1
2SD1801S-E图片2
2SD1801S-E图片3
2SD1801S-E图片4
2SD1801S-E概述

TP NPN 50V 2A

- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 2 A 150MHz 800 mW 通孔 TP


得捷:
TRANS NPN 50V 2A TP


立创商城:
NPN 50V 2A


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin3+Tab TP Bag


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin3+Tab TP Bag


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin3+Tab TP Bag


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin3+Tab TP Bag


Win Source:
TRANS NPN 50V 2A TP / Bipolar BJT Transistor NPN 50 V 2 A 150MHz 800 mW Through Hole TP


2SD1801S-E中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1801S-E
型号: 2SD1801S-E
描述:TP NPN 50V 2A
替代型号2SD1801S-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD1801S-E

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台