双极晶体管 Bipolar Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 4A 150MHz 1.5W Through Hole TO-126ML
得捷:
TRANS NPN 50V 4A TO126ML
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin TO-126ML Bag
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin TO-126ML Bag
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin TO-126ML Bag
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 4A 1500mW 3-Pin TO-126ML Bag
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin TO-126ML Bag
频率 150 MHz
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1683T ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1683S 安森美 | 类似代替 | 2SD1683T和2SD1683S的区别 |