2SC6099-E

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2SC6099-E概述

双极晶体管100V , 2A ,低VCE (SAT) , NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 100V, 2A, Low VCEsat, NPN Single TP/TP-FA

- 双极 BJT - 单 NPN 100 V 2 A 300MHz 800 mW 通孔 TP


得捷:
TRANS NPN 100V 2A TP


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 2A 100V


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 3-Pin3+Tab TP Bag


2SC6099-E中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC6099-E
型号: 2SC6099-E
描述:双极晶体管100V , 2A ,低VCE (SAT) , NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 100V, 2A, Low VCEsat, NPN Single TP/TP-FA
替代型号2SC6099-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SC6099-E

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