2SC5566-TD-E

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2SC5566-TD-E概述

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 50V 4A PCP


立创商城:
2SC5566-TD-E


欧时:
ON Semiconductor 2SC5566-TD-E , NPN 晶体管, 4 A, Vce=50 V, HFE:200, 1 MHz, 3引脚 PCP封装


艾睿:
Implement this NPN 2SC5566-TD-E GP BJT from ON Semiconductor to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi 2SC5566-TD-E NPN Bipolar Transistor; 4 A; 50 V; 3-Pin PCP


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS NPN 50V 4A SOT89-3


2SC5566-TD-E中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

针脚数 3

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-243

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-243

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SC5566-TD-E
型号: 2SC5566-TD-E
描述:PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号2SC5566-TD-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SC5566-TD-E

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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三洋

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