2SC6096-TD-H

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2SC6096-TD-H概述

SOT-89 NPN 100V 2A

The three terminals of this NPN GP BJT from give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6.5 V. Its maximum power dissipation is 1300 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6.5 V.

2SC6096-TD-H中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

封装 TO-243

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: 2SC6096-TD-H
描述:SOT-89 NPN 100V 2A
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