2SD1207U参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1207U概述

Trans GP BJT NPN 50V 2A 3Pin Case MP

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-MP

得捷:
TRANS NPN 50V 2A 3MP

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP

2SD1207U中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 280 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 400 @100mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1207U

型号： 2SD1207U

描述：Trans GP BJT NPN 50V 2A 3Pin Case MP

替代型号2SD1207U

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SD1207U ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC179B Continental Device	功能相似	2SD1207U和BC179B的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2SD1207U

ON Semiconductor 安森美

当前型号

BC179B

Continental Device

功能相似