2N6075BG

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2N6075BG概述

ON SEMICONDUCTOR  2N6075BG  三端双向可控硅, 600 V, 5 mA, 10 W, 2.5 V, TO-225, 30 A

The is a sensitive gate TRIAC designed primarily for full‐wave AC control applications or wherever full‐wave silicon gate controlled solid‐state device is needed. This silicon bidirectional thyristor switches from a blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive or negative gate triggering. The sensitive gate triggering uniquely compatible for direct coupling to TTL, HTL, CMOS and operational amplifier integrated circuit logic functions.

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4 Mode gate triggering
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Blocking voltage to 600V
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All diffused and glass passivated junctions for greater parameter uniformity and stability
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Small, rugged, thermopad construction for low thermal resistance, high heat dissipation & durability
2N6075BG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

保持电流 15 mA

保持电流Max 15 mA

工作温度Max 110 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温 -40℃ ~ 110℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 110℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Motor Drive & Control, Lighting, Power Management, HVAC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N6075BG引脚图与封装图
2N6075BG引脚图
2N6075BG封装焊盘图
在线购买2N6075BG
型号: 2N6075BG
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N6075BG  三端双向可控硅, 600 V, 5 mA, 10 W, 2.5 V, TO-225, 30 A
替代型号2N6075BG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N6075BG

ON Semiconductor 安森美

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当前型号

2N6075B

Digitron

功能相似

2N6075BG和2N6075B的区别

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