2N4920G

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2N4920G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N4920G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 10 hFE

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 80V 1A TO126


欧时:
ON Semiconductor 2N4920G , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-225封装


立创商城:
2N4920G


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Allied Electronics:
TRANS PNP 80V 1A TO225AA


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N4920G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE


Win Source:
TRANS PNP 80V 1A TO225AA


2N4920G中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -3.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

热阻 4.16℃/W RθJC

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 30 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N4920G
型号: 2N4920G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N4920G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 10 hFE
替代型号2N4920G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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