中功率PNP塑料 Medium-Power Plastic PNP
The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.
Features
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- Low Saturation Voltage - VCEsat = 0.6 Vdc Max @ IC = 1.0 Amp
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- Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C
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- Excellent Safe Operating Area
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- Gain Specified to IC = 1.0 Amp
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- Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923
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- Pb-Free Package is Available
频率 3 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 1.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 30 @500mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 150
额定功率Max 30 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-225-3
封装 TO-225-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N4919G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N4919 安森美 | 类似代替 | 2N4919G和2N4919的区别 |
BD13816STU 飞兆/仙童 | 功能相似 | 2N4919G和BD13816STU的区别 |
BD238 意法半导体 | 功能相似 | 2N4919G和BD238的区别 |