NPN 50V 2A
* Adoption of MBIT process * High current capacitance * Low collector-to-emitter saturation voltage * High-speed switching
得捷:
TRANS NPN 50V 2A 3MP
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP Bag
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP Bag
Win Source:
TRANS NPN 50V 2A 3MP / Bipolar BJT Transistor NPN 50 V 2 A 420MHz 1 W Through Hole 3-MP
频率 420 MHz
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 420 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560 @100mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SC6043 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1207T 安森美 | 类似代替 | 2SC6043和2SD1207T的区别 |