2SK4151TZ-E

2SK4151TZ-E图片1
2SK4151TZ-E概述

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

通孔 N 通道 150 V 1A(Ta) 750mW(Ta) TO-92


得捷:
MOSFET N-CH 150V 1A TO92


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 1A 3-Pin TO-92 T/R


2SK4151TZ-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 750mW Ta

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 98pF @10VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK4151TZ-E
型号: 2SK4151TZ-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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