2SC5707-E概述
ON SEMICONDUCTOR 2SC5707-E 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE
The is a NPN Bipolar Transistor for high-current switching application.
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- Adoption of FBET and MBIT Process
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- Large Current Capacitance
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- High Speed Switching
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- High Allowable Power Dissipation
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- Low Collector-to-emitter Saturation Voltage
2SC5707-E中文资料参数规格
技术参数
频率 330 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买2SC5707-E
型号： 2SC5707-E
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：ON SEMICONDUCTOR 2SC5707-E 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE
替代型号2SC5707-E
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SC5707-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |