2SD1805F-E

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2SD1805F-E概述

TP NPN 20V 5A

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 5A 120MHz 1W Through Hole TP


得捷:
TRANS NPN 20V 5A TP


艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin3+Tab TP Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin3+Tab TP Bulk


2SD1805F-E中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 160 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1805F-E
型号: 2SD1805F-E
描述:TP NPN 20V 5A
替代型号2SD1805F-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SD1805F-E

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