On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ，超过 1A，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 150 MHz
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.3 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1683S ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1683T 安森美 | 类似代替 | 2SD1683S和2SD1683T的区别 |
TR136 意法半导体 | 功能相似 | 2SD1683S和TR136的区别 |
BDW83-S 伯恩斯 | 功能相似 | 2SD1683S和BDW83-S的区别 |