双极晶体管 Bipolar Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 100V 4A 180MHz 1W Through Hole TP
得捷:
TRANS NPN 100V 4A TP
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin3+Tab TP Bag
安富利:
2SD1816 is a Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA for high-Current Switching Application.
Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin3+Tab TP Bag
频率 180 MHz
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1816T-H ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1816T-E 安森美 | 完全替代 | 2SD1816T-H和2SD1816T-E的区别 |
2SD1816T-TL-E 安森美 | 功能相似 | 2SD1816T-H和2SD1816T-TL-E的区别 |