2SD1803S-H

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2SD1803S-H概述

TP NPN 50V 5A

- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W 通孔 TP


得捷:
TRANS NPN 50V 5A TP


立创商城:
2SD1803S-H


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V


艾睿:
Implement this versatile NPN 2SD1803S-H GP BJT from ON Semiconductor into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin3+Tab TP Bag


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin3+Tab TP Bag


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin3+Tab IPAK Bag


2SD1803S-H中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 140 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1803S-H
型号: 2SD1803S-H
描述:TP NPN 50V 5A

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