2SA1930Q,M

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2SA1930Q,M概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 180V 2A Transistor

Bipolar BJT Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS


得捷:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 180V 2A Transistor


艾睿:
Trans GP BJT PNP 180V 2A 3-Pin3+Tab TO-220NIS


安富利:
Trans GP BJT PNP 180V 2A 3-Pin3+Tab TO-220NIS


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 180V 2A 3-Pin3+Tab TO-220NIS


Verical:
Trans GP BJT PNP 180V 2A 3-Pin3+Tab TO-220NIS


2SA1930Q,M中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 180 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 8.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1930Q,M
型号: 2SA1930Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 180V 2A Transistor

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