ON SEMICONDUCTOR 2N6035G 双极性晶体管
The Power 4 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
Features
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hFE = 2000 Typ @ IC = 2.0 Adc
VCEOsus = 60 Vdc Min - 2N6035, 2N6038
VCEOsus = 80 Vdc Min - 2N6036, 2N6039
IS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc
Resistors to Limit Leakage Multiplication
TO-225AA Plastic Package
额定电压DC -60.0 V
额定电流 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V
最大电流放大倍数hFE 15000
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
封装 TO-126-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6035G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BD678AG 安森美 | 类似代替 | 2N6035G和BD678AG的区别 |
BD678AS 安森美 | 类似代替 | 2N6035G和BD678AS的区别 |
TIP32CG 安森美 | 功能相似 | 2N6035G和TIP32CG的区别 |