DPAK PNP 100V 2A
Bipolar BJT Transistor PNP 100V 2A 300MHz 800mW Through Hole TP
得捷:
TRANS PNP 100V 2A TP
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK Bag
安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin TO-251 Bulk
Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK Bag
频率 300 MHz
极性 PNP
耗散功率 800 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SA2205-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA1593T-E 安森美 | 类似代替 | 2SA2205-E和2SA1593T-E的区别 |