硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
通孔 N 通道 250V 1A(Ta) 900mW(Ta) TO-92MOD
得捷: MOSFET N-CH 250V 1A TO92MOD
艾睿: Trans MOSFET N-CH 250V 1A 3-Pin TO-92 Mod Box
耗散功率 900mW Ta
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 140pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册