9 V 30 Ma 12 GHz 125 mW NPN 外延硅 晶体管 - 3 引脚
Look no further than the RF bi-polar junction transistor, developed by , which can offer high radio frequency power compatibility.
得捷:
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN High Frequency
艾睿:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
安富利:
Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold Embossed T/R
富昌:
9 V 30 Ma 12 GHz 125 mW NPN 外延硅 晶体管 - 3 引脚
Win Source:
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
耗散功率 125 mW
击穿电压集电极-发射极 6 V
增益 8.5 dB
最小电流放大倍数hFE 75 @10mA, 3V
额定功率Max 125 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 Ultra-Super-Minimold-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 Ultra-Super-Minimold-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SC5010-T1-A California Eastern Laboratories | 当前型号 | 当前型号 |
NE68519-T1-A California Eastern Laboratories | 功能相似 | 2SC5010-T1-A和NE68519-T1-A的区别 |