2SC5010-T1-A

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2SC5010-T1-A概述

9 V 30 Ma 12 GHz 125 mW NPN 外延硅 晶体管 - 3 引脚

Look no further than the RF bi-polar junction transistor, developed by , which can offer high radio frequency power compatibility.


得捷:
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN High Frequency


艾睿:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD


安富利:
Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold Embossed T/R


富昌:
9 V 30 Ma 12 GHz 125 mW NPN 外延硅 晶体管 - 3 引脚


Win Source:
RF TRANSISTOR NPN SOT-523


2SC5010-T1-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125 mW

击穿电压集电极-发射极 6 V

增益 8.5 dB

最小电流放大倍数hFE 75 @10mA, 3V

额定功率Max 125 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Ultra-Super-Minimold-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 Ultra-Super-Minimold-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5010-T1-A
型号: 2SC5010-T1-A
制造商: California Eastern Laboratories
描述:9 V 30 Ma 12 GHz 125 mW NPN 外延硅 晶体管 - 3 引脚
替代型号2SC5010-T1-A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SC5010-T1-A

California Eastern Laboratories

当前型号

当前型号

NE68519-T1-A

California Eastern Laboratories

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2SC5010-T1-A和NE68519-T1-A的区别

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