2SK1764KYTL-E

2SK1764KYTL-E概述

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

Application

•  Low frequency amplifier

•  High speed switching

Features

•  Low on-resistance

•  High speed switching

•  4 V Gate drive device can be driven from 5 V source

•  Suitable for switching regulator, DC-DC converter


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin3+Tab UPAK T/R


Win Source:
Silicon N Channel MOS FET


2SK1764KYTL-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2A

输入电容Ciss 140pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 UPAK

外形尺寸

封装 UPAK

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买2SK1764KYTL-E
型号: 2SK1764KYTL-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
替代型号2SK1764KYTL-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SK1764KYTL-E

Renesas Electronics 瑞萨电子

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