2N3417 PBFREE

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2N3417 PBFREE概述

Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 625mW 3Pin TO-92 Box

Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.

2N3417 PBFREE中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.625 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N3417 PBFREE引脚图与封装图
2N3417 PBFREE引脚图
2N3417 PBFREE封装图
2N3417 PBFREE封装焊盘图
在线购买2N3417 PBFREE
型号: 2N3417 PBFREE
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 625mW 3Pin TO-92 Box

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