2SB1215S-H

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2SB1215S-H概述

TP PNP 100V 3A

- 双极 BJT - 单 PNP 130MHz 通孔 TP


得捷:
TRANS PNP 100V 3A TP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin3+Tab TP Bag


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin3+Tab TP Bag


2SB1215S-H中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 140 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 280

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SB1215S-H
型号: 2SB1215S-H
描述:TP PNP 100V 3A
替代型号2SB1215S-H
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SB1215S-H

ON Semiconductor 安森美

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2SB1215S-E

安森美

完全替代

2SB1215S-H和2SB1215S-E的区别

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