293D105X0025B2TE3

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293D105X0025B2TE3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 kV

电容 1 µF

等效串联电阻ESR 5 Ω

容差 ±20 %

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 3528-21

封装 3528

外形尺寸

长度 3.5 mm

宽度 2.8 mm

高度 1.9 mm

封装公制 3528-21

封装 3528

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买293D105X0025B2TE3
型号: 293D105X0025B2TE3
描述:VISHAY  293D105X0025B2TE3  钽电容, 1uF 20%容差 25V
替代型号293D105X0025B2TE3
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293D105X0025B2TE3

Vishay Semiconductor 威世

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TH3B105M025D5000

威世

完全替代

293D105X0025B2TE3和TH3B105M025D5000的区别

293D105X9035B2TE3

威世

类似代替

293D105X0025B2TE3和293D105X9035B2TE3的区别

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