2SD1815T-H

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2SD1815T-H概述

TP NPN 100V 3A

- 双极 BJT - 单 NPN 100 V 3 A 180MHz 1 W 通孔 TP


得捷:
TRANS NPN 100V 3A TP


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin3+Tab TP Bag


2SD1815T-H中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1815T-H
型号: 2SD1815T-H
描述:TP NPN 100V 3A
替代型号2SD1815T-H
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