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293D475X0025B2TE3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 kV

电容 4.70 µF

等效串联电阻ESR 2.8 Ω

容差 ±20 %

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 3528

外形尺寸

封装 3528

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买293D475X0025B2TE3

型号： 293D475X0025B2TE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：293D 系列 4.7 uF ±20 % 25 V 表面贴装标准模压钽电容

替代型号293D475X0025B2TE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
293D475X0025B2TE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
TH3B475M025D2800 威世	完全替代	293D475X0025B2TE3和TH3B475M025D2800的区别
293D475X9025B2TE3 威世	类似代替	293D475X0025B2TE3和293D475X9025B2TE3的区别
293D475X5025B2TE3 威世	类似代替	293D475X0025B2TE3和293D475X5025B2TE3的区别