2SC5011-T1-A

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2SC5011-T1-A概述

Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 4Pin Case 18

RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 150mW Surface Mount SOT-343


得捷:
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343


艾睿:
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION4-PIN SUPER MINIMOLD


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin Super Mini-Mold Embossed T/R


Win Source:
RF TRANSISTOR NPN SOT-343


2SC5011-T1-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 13 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5011-T1-A
型号: 2SC5011-T1-A
制造商: California Eastern Laboratories
描述:Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 4Pin Case 18

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