2STBN15D100

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2STBN15D100概述

STMICROELECTRONICS  2STBN15D100  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 70 W, 12 A, 750 hFE

The is a NPN low voltage power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. It is suitable for use with linear and switching industrial equipment.

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Good hFE linearity
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High fT frequency
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Monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode
2STBN15D100中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 70 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V

额定功率Max 70 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 70000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2STBN15D100
型号: 2STBN15D100
描述:STMICROELECTRONICS  2STBN15D100  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 70 W, 12 A, 750 hFE
替代型号2STBN15D100
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2STBN15D100

ST Microelectronics 意法半导体

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完全替代

2STBN15D100和2STBN15D100T4的区别

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