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293D686X06R3B2TE3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 6.30 V

电容 68.0 µF

等效串联电阻ESR 1.8 Ω

容差 ±20 %

额定电压 6.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 3528

外形尺寸

封装 3528

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买293D686X06R3B2TE3

型号： 293D686X06R3B2TE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：293D 系列 68 uF ±20 % 6.3 V 表面贴装标准模压钽电容

替代型号293D686X06R3B2TE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
293D686X06R3B2TE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
TH3B686M6R3D1800 威世	完全替代	293D686X06R3B2TE3和TH3B686M6R3D1800的区别
293D686X96R3B2TE3 威世	类似代替	293D686X06R3B2TE3和293D686X96R3B2TE3的区别
TH3B686K6R3C1800 威世	类似代替	293D686X06R3B2TE3和TH3B686K6R3C1800的区别