频率 100 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
额定功率 800 mW
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
集电极击穿电压 -80.0 V min
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5-3
长度 9.4 mm
宽度 9.4 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-5-3
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N4033 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
JANS2N4033 美高森美 | 功能相似 | 2N4033和JANS2N4033的区别 |
2N4033LEADFREE Central Semiconductor | 功能相似 | 2N4033和2N4033LEADFREE的区别 |