2SD1060S-1EX参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1060S-1EX概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 5A 50V

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3

得捷:
TRANS NPN 50V 5A TO220-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 5A 50V

艾睿:
TRANS NPN 50V 5A

2SD1060S-1EX中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 140 @1A, 2V

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买2SD1060S-1EX

型号： 2SD1060S-1EX

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 5A 50V

替代型号2SD1060S-1EX

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SD1060S-1EX ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
2SD1060S-1E 安森美	完全替代	2SD1060S-1EX和2SD1060S-1E的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2SD1060S-1EX

ON Semiconductor 安森美

当前型号

2SD1060S-1E

安森美

完全替代