增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 90 V
最小电流放大倍数hFE 60
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
长度 9.4 mm
宽度 9.4 mm
高度 6.6 mm
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
2N2405
Central Semiconductor
当前型号
2N2405LEADFREE
功能相似