293D226X0035E2TE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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293D226X0035E2TE3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 300 kV

电容 22 µF

等效串联电阻ESR 600 mΩ

容差 ±20 %

纹波电流 0.5 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 7343

外形尺寸

长度 7.3 mm

宽度 4.3 mm

高度 4 mm

封装 7343

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买293D226X0035E2TE3

型号： 293D226X0035E2TE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：293D 系列 22 uF ±20 % 35 V 表面贴装标准模压钽电容

替代型号293D226X0035E2TE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
293D226X0035E2TE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
TH3D226M035A0600 威世	完全替代	293D226X0035E2TE3和TH3D226M035A0600的区别
TH3D226M035C0600 威世	完全替代	293D226X0035E2TE3和TH3D226M035C0600的区别
293D226X9035D2TE3 威世	类似代替	293D226X0035E2TE3和293D226X9035D2TE3的区别