2SJ649-AZ

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2SJ649-AZ概述

P沟道 60V 20A

通孔 P 通道 20A(Tc) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220 隔离的标片


得捷:
MOSFET P-CH 60V 20A TO220


立创商城:
P沟道 60V 20A


贸泽:
MOSFET Mosfet


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Isolated


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Isolated


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Isolated


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220


2SJ649-AZ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1900pF @10VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SJ649-AZ引脚图与封装图
2SJ649-AZ引脚图
2SJ649-AZ封装图
2SJ649-AZ封装焊盘图
在线购买2SJ649-AZ
型号: 2SJ649-AZ
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:P沟道 60V 20A

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