STMICROELECTRONICS 2N2219A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 800 mW, 600 mA, 300 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 250MHz 通孔 TO-39
得捷:
TRANS NPN 30V 0.8A TO39
艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-39 Bag
安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-39 Bag
富昌:
2N2219A Series 40 V 0.8 W Through Hole High Speed Switch - TO-39
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-39 Bag
TME:
Transistor: bipolar, NPN; 60V; 800mA; 800mW; TO39
Online Components:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-39 Bag
频率 250 MHz
额定电压DC 75.0 V
额定电流 600 mA
额定功率 800 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 800 mW
集电极击穿电压 75.0 V
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
封装 TO-39
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
制造应用 工业, Industrial, Portable Devices, 便携式器材, 电源管理, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N2219A ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2N2219 Central Semiconductor | 功能相似 | 2N2219A和2N2219的区别 |
JANS2N2219A 美高森美 | 功能相似 | 2N2219A和JANS2N2219A的区别 |
JANTXV2N2219A Semicoa Semiconductor | 功能相似 | 2N2219A和JANTXV2N2219A的区别 |