2N2369A中文资料参数规格
技术参数
频率 500 MHz
耗散功率 360 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 200℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
长度 5.84 mm
宽度 5.84 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N2369A引脚图与封装图 
在线购买2N2369A
替代型号2N2369A
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N2369A Central Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
ALE Central Semiconductor | 功能相似 | 2N2369A和ALE的区别 |