2SJ687-ZK-E1-AY参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SJ687-ZK-E1-AY概述

Trans MOSFET P-CH 20V 20A 3Pin2+Tab DPAK T/R

表面贴装型 P 通道 20A（Tc） 1W（Ta），36W（Tc） TO-252（MP-3ZK）

得捷:
MOSFET P-CH 20V 20A TO252

贸泽:
MOSFET MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 20A TO-252

2SJ687-ZK-E1-AY中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 220 ns

输入电容Ciss 4400pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 310 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta, 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SJ687-ZK-E1-AY引脚图与封装图

在线购买2SJ687-ZK-E1-AY

型号： 2SJ687-ZK-E1-AY

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET P-CH 20V 20A 3Pin2+Tab DPAK T/R